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与三星、东芝、美光等企业相比,中国目前在dram存储器、nand闪存技术上落后多年,但中国科研人员也在追赶新一代技术,日前,中国投资130亿元建设pcm相变存储器,性能普通的存储器芯片, 现在更厉害的是复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏率领的团队开发了新的二维非易失性存储器芯片。 他们采用半导体结构,所开发的存储器芯片的性能是以前流传下来的二维存储器芯片的100万倍,而且性能更长,刷新时间是存储器的156倍,也就是说具有更强的耐久性。

diy玩家应该知道内存、闪存的优缺点。 但是,切断电源后会丢失数据,而且很贵。 闪存的延迟比存储器高一个数量级,但是利润就是留下数据,而且价格低廉。 因此,业界正在寻找具有存储器、闪存优点的存储器芯片,即能够保留数据且速度非常高的存储器芯片。

英特尔开发的3d xpoint闪存也有同样的特征,据说性能是闪存的1000倍,耐久性是闪存的1000倍。 上述的pcm相变存储器也是同样的技术,切断电源时可以保存数据,发挥内存般的性能。 但是,这些新的存储器芯片目前还没有达到内存和闪存那样的成熟度。

中国学者开发的存储器芯片也是这个方向。 根据他们在《自然纳米技术》杂志上发表的论文,他们开发的存储芯片没有采用以前流传下来的芯片场效应型原理。 后者为了在物理尺寸逐渐缩小的情况下干扰量子效应,张卫、周鹏团队采用了半浮栅( semi-floating gate )晶体管技术。 他们在此基础上做了一个

具体地说,与dram存储器相比,数据的刷新时间为前者的156倍,也就是说可以保留更长期的数据,具备纳秒( ns )级别的写入速度(与闪存的延迟通常为毫秒级别),可以按照以前的方式进行传输 因此,该新存储器有望缩小以前传递的存储器和闪存的差。

当然,这项技术的进展很好。 只是,不要期待技术马上量产。 未来两三年内不可能进入市场。 但是,具备dram、nand优点的新型存储器芯片存在这一问题,并未成熟到量产市场。 以前内存,闪存还有很长的寿命。

标题:“中国新型存储芯片:性能快了100万倍”

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